薄膜太(tai)陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)作為新能(neng)源儲能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)是(shi)很有(you)發展(zhan)前(qian)景的，隨著(zhu)電(dian)(dian)池(chi)(chi)技術(shu)的發展(zhan)，現在薄膜太(tai)陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)怎么樣呢？下(xia)面就不同類型的薄膜太(tai)陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)做優缺點對(dui)比，讓大家能(neng)更(geng)好的了(le)解(jie)這類電(dian)(dian)池(chi)(chi)好不好。

砷化(hua)鎵薄膜太陽能電池

GaAs屬(shu)于III-V族化(hua)(hua)合(he)物(wu)半(ban)導(dao)體材料(liao)，其(qi)能(neng)(neng)(neng)隙為(wei)1.4eV，正好(hao)能(neng)(neng)(neng)高(gao)吸收(shou)率(lv)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)光的(de)(de)(de)(de)值，與(yu)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)光譜的(de)(de)(de)(de)匹配較適合(he)，且能(neng)(neng)(neng)耐(nai)高(gao)溫(wen)(wen)，在(zai)250℃的(de)(de)(de)(de)條件下，光電(dian)(dian)(dian)轉換性能(neng)(neng)(neng)仍很(hen)良好(hao)，其(qi)最高(gao)光電(dian)(dian)(dian)轉換效(xiao)率(lv)約30%，特(te)別適合(he)做(zuo)高(gao)溫(wen)(wen)聚光薄(bo)膜(mo)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)。砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)擦(ca)(ca)生產(chan)(chan)方(fang)(fang)(fang)式和傳統的(de)(de)(de)(de)硅(gui)晶(jing)(jing)圓(yuan)生產(chan)(chan)方(fang)(fang)(fang)式大不(bu)相(xiang)同(tong)，砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)鋒需要(yao)(yao)(yao)采(cai)(cai)用磊晶(jing)(jing)技(ji)術制造，這種(zhong)磊晶(jing)(jing)圓(yuan)的(de)(de)(de)(de)直徑通常為(wei)4-6英(ying)(ying)寸，比硅(gui)晶(jing)(jing)圓(yuan)的(de)(de)(de)(de)12英(ying)(ying)寸要(yao)(yao)(yao)小得多(duo)。磊晶(jing)(jing)圓(yuan)需要(yao)(yao)(yao)特(te)殊的(de)(de)(de)(de)機臺，同(tong)時砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)擦(ca)(ca)原材料(liao)成本高(gao)出硅(gui)很(hen)多(duo)，最終導(dao)致砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)擦(ca)(ca)成品IC成本比較高(gao)。磊晶(jing)(jing)目前有(you)兩種(zhong)，一(yi)種(zhong)是(shi)化(hua)(hua)學的(de)(de)(de)(de)MoCVD，一(yi)種(zhong)是(shi)物(wu)理的(de)(de)(de)(de)MBE。GaAs等(deng)III-V化(hua)(hua)合(he)物(wu)薄(bo)膜(mo)電(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)制備主(zhu)要(yao)(yao)(yao)采(cai)(cai)用MOVPE和LPE技(ji)術，其(qi)中MOVPE方(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)制備GaAs薄(bo)膜(mo)電(dian)(dian)(dian)池(chi)受襯底(di)(di)位錯，反應壓力(li)，III-V比率(lv)，總流量等(deng)諸多(duo)參數的(de)(de)(de)(de)影響(xiang)。GaAs（砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)鎊(bang)）光電(dian)(dian)(dian)池(chi)大多(duo)采(cai)(cai)用液(ye)相(xiang)外延法(fa)(fa)或MOCVD技(ji)術制備。用GaAs作襯底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)光電(dian)(dian)(dian)池(chi)效(xiao)率(lv)高(gao)達29.5%（一(yi)般(ban)在(zai)19.5%左右），產(chan)(chan)品耐(nai)高(gao)溫(wen)(wen)和輻(fu)射，但(dan)生產(chan)(chan)成本高(gao)，產(chan)(chan)量受限，目前主(zhu)要(yao)(yao)(yao)作空間(jian)電(dian)(dian)(dian)源用。以硅(gui)片(pian)作襯底(di)(di)，MOCVD技(ji)術異(yi)質外延方(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)制造GaAs電(dian)(dian)(dian)池(chi)是(shi)降用低(di)成本很(hen)有(you)希望的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)。已研究的(de)(de)(de)(de)砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)密系列太(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)電(dian)(dian)(dian)池(chi)有(you)單晶(jing)(jing)砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)擦(ca)(ca)，多(duo)晶(jing)(jing)砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)擦(ca)(ca)，擦(ca)(ca)鋁砷(shen)(shen)(shen)–砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)擦(ca)(ca)異(yi)質結，金(jin)屬(shu)半(ban)導(dao)體砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)鎊(bang)，金(jin)屬(shu)絕(jue)緣體–半(ban)導(dao)體砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)密太(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)電(dian)(dian)(dian)池(chi)等(deng)。

銅銦(yin)硒(xi)薄(bo)膜太陽能(neng)電池

銅錮硒CuInSe2簡稱(cheng)CIC.CIS材(cai)料(liao)的能降為(wei)1.1eV，適(shi)于太陽(yang)光的光電(dian)轉(zhuan)換(huan)，另外，CIS薄(bo)膜(mo)太陽(yang)電(dian)池不存(cun)在光致衰退問題(ti)。因此，CIS用作(zuo)高(gao)轉(zhuan)換(huan)效率薄(bo)膜(mo)太陽(yang)能電(dian)池材(cai)料(liao)也引(yin)起了人們的注目(mu)。

CIS電(dian)池(chi)(chi)薄膜的(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)備主(zhu)要有真空(kong)蒸(zheng)鍍法和硒(xi)化(hua)法。真空(kong)蒸(zheng)鍍法是采用各自的(de)(de)(de)(de)(de)蒸(zheng)發源(yuan)(yuan)蒸(zheng)鍍銅，錮(gu)和硒(xi)，硒(xi)化(hua)法是使用H2Se疊層膜硒(xi)化(hua)，但該(gai)法難以得到(dao)組成均勻的(de)(de)(de)(de)(de)CIS。CIS薄膜電(dian)池(chi)(chi)從80年代最(zui)初8%的(de)(de)(de)(de)(de)轉換(huan)效率(lv)(lv)發展(zhan)(zhan)到(dao)目前(qian)的(de)(de)(de)(de)(de)15%左(zuo)右。日本松下電(dian)氣(qi)工(gong)業公司開發的(de)(de)(de)(de)(de)摻鎊的(de)(de)(de)(de)(de)CIS電(dian)池(chi)(chi)，其光(guang)電(dian)轉換(huan)效率(lv)(lv)為(wei)(wei)15.3%（面積(ji)1cm2）。1995年美(mei)國(guo)可再生能(neng)(neng)(neng)源(yuan)(yuan)研究室研制(zhi)出轉換(huan)效率(lv)(lv)17.1%的(de)(de)(de)(de)(de)CIS太陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)，這(zhe)是迄今為(wei)(wei)止(zhi)世界上該(gai)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)最(zui)高轉換(huan)效率(lv)(lv)。預(yu)計到(dao)2000年CIS電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)轉換(huan)效率(lv)(lv)將(jiang)(jiang)達(da)到(dao)20%，相當于(yu)多晶硅(gui)太陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)。CIS作(zuo)為(wei)(wei)太陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)半(ban)導體材料，具有價格低廉，性能(neng)(neng)(neng)良好和工(gong)藝(yi)簡單等優點，將(jiang)(jiang)成為(wei)(wei)今后發展(zhan)(zhan)太陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)個重要方(fang)向。唯一(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)問題(ti)是材料的(de)(de)(de)(de)(de)來源(yuan)(yuan)，由(you)于(yu)錮(gu)和硒(xi)都是比(bi)較稀有的(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)素，因此，這(zhe)類電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)發展(zhan)(zhan)又必然受到(dao)限(xian)制(zhi)。

確化鎘(ge)太陽能電池

cdTe是IⅡ-VI族化(hua)(hua)合物半導體，帶隙1.5eV，與太陽(yang)光(guang)譜非(fei)常(chang)匹(pi)配，最適合于光(guang)電能量(liang)轉換，是一種良好的PV材(cai)料(liao)，具有(you)很高的理(li)論效率（28%），性能很穩定，一直(zhi)被光(guang)伏(fu)界(jie)看(kan)重，是技術(shu)上(shang)發(fa)(fa)(fa)展較快的一種薄(bo)膜電池(chi)(chi)。確(que)化(hua)(hua)鎘容易(yi)沉(chen)積成大面積的薄(bo)膜，沉(chen)積速(su)率也(ye)高。cdTe薄(bo)膜太陽(yang)電池(chi)(chi)通常(chang)以Cds/CdTe異(yi)質結為(wei)基礎。盡管Cds和(he)cdTe和(he)晶(jing)格常(chang)數相差10%，但(dan)它們(men)組成的異(yi)質結電學性能優良，制成的太陽(yang)電池(chi)(chi)的填充因(yin)子高達FF=0.75制備(bei)CdTe多晶(jing)薄(bo)膜的多種工藝和(he)技術(shu)已經開發(fa)(fa)(fa)出來，如近(jin)空(kong)(kong)間升(sheng)華(hua)、電沉(chen)積、PVD、CVD、CBD、絲(si)網(wang)印(yin)刷(shua)、濺射、真空(kong)(kong)蒸發(fa)(fa)(fa)等。絲(si)網(wang)印(yin)刷(shua)燒(shao)結法：由含CdTe、Cds漿料(liao)進行絲(si)網(wang)印(yin)刷(shua)CdTe、Cds膜，然后在(zai)600~700℃可控氣氛下進行熱(re)處理(li)1h得大晶(jing)粒薄(bo)膜。近(jin)空(kong)(kong)間升(sheng)華(hua)法：采用玻璃(li)(li)作(zuo)襯底(di)，襯底(di)溫度500~600℃，沉(chen)積速(su)率10um/min.真空(kong)(kong)蒸發(fa)(fa)(fa)法：將CdTe從約(yue)700℃加(jia)熱(re)鉗鍋中(zhong)升(sheng)華(hua)，冷凝(ning)在(zai)300~400℃襯底(di)上(shang)，典型沉(chen)積速(su)率1nm/s.以cdTe吸(xi)收層，CdS作(zuo)窗(chuang)口層半導體異(yi)質結電池(chi)(chi)的典型結構：減反射膜/玻璃(li)(li)/（Sn02：F）/Cds/P-cdTe/背(bei)電極。電池(chi)(chi)的實驗室效率不斷攀升(sheng)，最近(jin)突16%。20世(shi)紀90年代(dai)初，CdTe電池(chi)(chi)已實現了規模(mo)化(hua)(hua)生產(chan)，但(dan)市(shi)場發(fa)(fa)(fa)展緩(huan)慢(man)，市(shi)場份額一直(zhi)徘徊在(zai)1%左右。商業化(hua)(hua)電池(chi)(chi)效率平均為(wei)8%-10%。