由于鋰電池自身客觀缺點妨礙了使用功(gong)能(neng)，鋰電(dian)池(chi)保護板的(de)(de)功(gong)能(neng)就是彌補(bu)鋰電(dian)池(chi)的(de)(de)部分缺點存在(zai)的(de)(de)。由于鋰電(dian)池(chi)本身的(de)(de)材料決定了它不能(neng)被過(guo)(guo)充(chong)(chong)、過(guo)(guo)放(fang)、過(guo)(guo)流、短(duan)路及超高(gao)溫充(chong)(chong)放(fang)電(dian)，因此需要(yao)電(dian)池(chi)保護板來預防保護。

鋰電池保(bao)護板(ban)設計作用包括(kuo)以下幾(ji)點：

1、過充電(dian)(dian)檢出電(dian)(dian)壓(ya)(ya)：在(zai)通常狀態下，Vdd逐漸提(ti)升至CO端由高電(dian)(dian)平(ping)變為低電(dian)(dian)平(ping)時VDD-VSS間電(dian)(dian)壓(ya)(ya)。

2、過充電解除電壓：在充電狀(zhuang)態下，Vdd逐漸降低至CO端由低電平(ping)變為(wei)高電平(ping)時VDD-VSS間電壓。

3、過放電檢出電壓：通常狀態下，Vdd逐漸降低至(zhi)DO端由高電平(ping)變為低電平(ping)時(shi)VDD-VSS間電壓。

4、過放電(dian)解(jie)除(chu)電(dian)壓：在過放電(dian)狀態下(xia)，Vdd逐漸上(shang)升到(dao)DO端由(you)低電(dian)平變為(wei)高電(dian)平時VDD-VSS間電(dian)壓。

5、過電(dian)流1檢出電(dian)壓：在通(tong)常狀態下(xia)，VM逐漸升至DO由高電(dian)平變(bian)為低(di)電(dian)平時VM-VSS間(jian)電(dian)壓。

6、過電(dian)(dian)流(liu)2檢(jian)出電(dian)(dian)壓(ya)：在通常狀態下，VM從OV起以(yi)(yi)1ms以(yi)(yi)上4ms以(yi)(yi)下的速度升到(dao)DO端由高電(dian)(dian)平(ping)變為低(di)電(dian)(dian)平(ping)時VM-VSS間(jian)電(dian)(dian)壓(ya)。

7、負載短路(lu)檢出(chu)電(dian)壓：在(zai)通常狀態下，VM以(yi)(yi)OV起以(yi)(yi)1μS以(yi)(yi)上50μS以(yi)(yi)下的速度升至DO端由高電(dian)平(ping)變為低(di)電(dian)平(ping)時VM-VSS間電(dian)壓。

8、充電(dian)器檢出電(dian)壓(ya)：在過放電(dian)狀態下(xia)，VM以OV逐(zhu)漸下(xia)降至DO由(you)低電(dian)平變(bian)為變(bian)為高電(dian)平時VM-VSS間(jian)電(dian)壓(ya)。

9、通常(chang)工(gong)作(zuo)(zuo)時消耗電流(liu)(liu)：在通常(chang)狀態(tai)下(xia)，流(liu)(liu)以VDD端子的電流(liu)(liu)(IDD)即為通常(chang)工(gong)作(zuo)(zuo)時消耗電流(liu)(liu)。

10、過放電(dian)消耗電(dian)流(liu)(liu)：在放電(dian)狀態下，流(liu)(liu)經VDD端子的電(dian)流(liu)(liu)(IDD)即(ji)為過流(liu)(liu)放電(dian)消耗電(dian)流(liu)(liu)。