電池內阻的計算方法
電池的內阻對電池電壓的監測是有很重要的影響的。基本的公式可以用這樣一個公式來表示電池的內阻對電池電量監測的影響:
V=Vocv-I*Rbat
V=Vocv-1·ReAr
- 阻(zu)抗=f(T,SOC和老化)
- 電阻(zu)在100次充放電之后將增加一(yi)倍(bei)
- 電池之間的電阻(zu)偏差為(wei)10-15%
- 不同制(zhi)造(zao)商的電池電阻偏差可(ke)達10-15%


這個公式里面Vocv指(zhi)的(de)(de)是(shi)電(dian)池的(de)(de)開路電(dian)壓(ya),是(shi)指(zhi)充放電(dian)電(dian)流,Rbat是(shi)指(zhi)的(de)(de)電(dian)池的(de)(de)內阻,V是(shi)指(zhi)電(dian)池的(de)(de)端電(dian)壓(ya)。
電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)阻抗(kang)實(shi)際是(shi)受很多因(yin)數(shu)影響(xiang)的(de)(de)(de),受到(dao)(dao)環境溫度、電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)容量百分比(bi)、電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)老(lao)化程度的(de)(de)(de)影響(xiang)。它是(shi)這(zhe)些(xie)變量中(zhong)一(yi)個(ge)(ge)(ge)非常(chang)復雜的(de)(de)(de)函(han)數(shu)。現在(zai)要得(de)到(dao)(dao)這(zhe)個(ge)(ge)(ge)函(han)數(shu)的(de)(de)(de)具體表(biao)達式是(shi)非常(chang)困(kun)難的(de)(de)(de),所以(yi)實(shi)際經常(chang)用實(shi)測的(de)(de)(de)方法(fa)來(lai)得(de)到(dao)(dao)阻抗(kang),也就是(shi)用差分表(biao)的(de)(de)(de)方法(fa)來(lai)得(de)到(dao)(dao)阻抗(kang)。那么這(zhe)個(ge)(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)內(nei)阻通(tong)常(chang)在(zai)100次充放電(dian)(dian)(dian)(dian)之后(hou)會(hui)增加1倍(bei),這(zhe)是(shi)一(yi)個(ge)(ge)(ge)經驗值(zhi)。同(tong)一(yi)批電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)之間(jian)的(de)(de)(de)偏差控(kong)制(zhi)(zhi)得(de)比(bi)較好的(de)(de)(de)大概可以(yi)控(kong)制(zhi)(zhi)在(zai)10~15%左右,不同(tong)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)造商生(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)內(nei)阻的(de)(de)(de)偏差往往會(hui)更大。所以(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)內(nei)阻是(shi)在(zai)生(sheng)產(chan)當(dang)中(zhong)很難把它的(de)(de)(de)偏差控(kong)制(zhi)(zhi)得(de)小的(de)(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)(ge)變量,電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)內(nei)阻是(shi)一(yi)個(ge)(ge)(ge)非常(chang)難控(kong)制(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)變量,也是(shi)非常(chang)重要的(de)(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)(ge)變量。





