鋰電池保護板通常包括控制IC、MOS開關及輔助器件NTC、ID存儲器等。其中控制IC，在一切正常的情況下控制MOS開關導通，使電芯與外電路溝通，而當電芯電壓或回路電流超過規定值時，它立刻控制MOS開關關斷，保護電芯的安全。

IC：控(kong)制

MOS：開關

NTC：為負溫度系數電阻（溫度越(yue)大，電阻越(yue)小），對手機(ji)起保(bao)護作用(yong)。

ID：起(qi)解(jie)碼作用（識別(bie)電阻）電阻：起(qi)限流、采樣作用

電容(rong)：起瞬間穩(wen)壓作(zuo)用，濾波作(zuo)用

Fuse：熔(rong)斷或保(bao)險(xian)絲，短路時溶斷，不可恢復(fu)

Ptc：專業里面通常把正溫度系數器件簡稱為PTC，電池產品里PTC可以防止電池高溫放電和不安全的大電流的發生，根據電池的電壓、電流密度特性和應用環境，對PTC有專門的要求。
是電池組件產品里一個非常重要的部件，對電池的安全擔負著重要使命，它本身的性能和品質也是電池組性能和品質的一個重要因數。電路中有過流發生時，流經聚合物自復保險絲的大電流產生的熱量足以使聚合物樹脂基體融化，體積膨脹，因而切斷了導電粒子形成的鏈狀導電通路，導致聚合物自復保險絲的阻抗迅速升高，而起到對電路的過流保護作用故障排除后，樹脂重新冷卻結晶，體積收縮，導電粒子重新形成導電通路，器件恢復為低阻抗，因此有人稱它為可恢復保險絲或自復保險絲。

1、鋰電池保護(hu)板的功能：

過(guo)充保護：當電(dian)芯電(dian)壓升(sheng)到一定值時(shi)（4.4V以下(xia)），保護板會切斷充電(dian)回路。

過放(fang)保護：當電(dian)芯電(dian)壓低到一(yi)定值時（2.2V以上(shang)），保護板會切斷(duan)放(fang)電(dian)回路(lu)。

短(duan)路(lu)保護：當電池(chi)正(zheng)、負極(ji)兩(liang)端短(duan)路(lu)時(shi)，可(ke)迅速切(qie)斷回(hui)路(lu)，保護電芯。

過流(liu)保(bao)護(hu)(hu)：當電(dian)池輸出(chu)電(dian)流(liu)超(chao)過某一(yi)值時(shi)（2A左右），保(bao)護(hu)(hu)電(dian)路會切斷輸出(chu)回路。

其它輔助功能：保(bao)護板上(shang)一般還有NTC、識別電(dian)阻以(yi)及(ji)解碼芯片等(deng)，主要作用(yong)是保(bao)證電(dian)池能與主機及(ji)原裝充電(dian)器正(zheng)常充電(dian)與使(shi)用(yong)。

2、鋰電池保護(hu)板協調作用(yong)包括以下(xia)幾點：

（1）過充(chong)電(dian)檢出電(dian)壓(ya)(ya)：在(zai)通常狀態下，Vdd逐(zhu)漸提升至(zhi)CO端由(you)高電(dian)平變為低電(dian)平時VDD-VSS間電(dian)壓(ya)(ya)。

（2）過充(chong)電(dian)解除(chu)電(dian)壓(ya)：在充(chong)電(dian)狀(zhuang)態下(xia)，Vdd逐漸(jian)降低至CO端由(you)低電(dian)平(ping)變為高電(dian)平(ping)時(shi)VDD-VSS間電(dian)壓(ya)。

（3）過放電檢(jian)出電壓：通常狀態下，Vdd逐(zhu)漸降(jiang)低至DO端(duan)由高電平變為低電平時VDD-VSS間電壓。

（4）過放電解(jie)除(chu)電壓：在過放電狀態下，Vdd逐漸上(shang)升到DO端由(you)低電平(ping)變(bian)為高電平(ping)時(shi)VDD-VSS間電壓。

（5）過電(dian)(dian)流1檢出電(dian)(dian)壓(ya)：在通常狀態(tai)下，VM逐漸升至(zhi)DO由高電(dian)(dian)平變為低電(dian)(dian)平時VM-VSS間電(dian)(dian)壓(ya)。

（6）過電(dian)(dian)流2檢出電(dian)(dian)壓(ya)：在通常狀態下，VM從(cong)OV起(qi)以1ms以上4ms以下的速度升到DO端由高電(dian)(dian)平(ping)變為(wei)低電(dian)(dian)平(ping)時VM-VSS間(jian)電(dian)(dian)壓(ya)。

（7）負載短路檢出電(dian)壓(ya)：在(zai)通常(chang)狀(zhuang)態下，VM以(yi)(yi)OV起(qi)以(yi)(yi)1μS以(yi)(yi)上(shang)50μS以(yi)(yi)下的速度升至DO端(duan)由高電(dian)平變(bian)為低電(dian)平時VM-VSS間電(dian)壓(ya)。

（8）充電器(qi)檢出電壓(ya)(ya)：在過放電狀態下，VM以OV逐漸下降至DO由低電平變為變為高電平時VM-VSS間電壓(ya)(ya)。

（9）通常工作(zuo)時(shi)消耗電(dian)流：在通常狀態下，流以VDD端(duan)子的(de)電(dian)流(IDD)即為通常工作(zuo)時(shi)消耗電(dian)流。

（10）過放電(dian)(dian)消耗(hao)電(dian)(dian)流(liu)(liu)：在放電(dian)(dian)狀(zhuang)態下，流(liu)(liu)經VDD端子的電(dian)(dian)流(liu)(liu)(IDD)即(ji)為過流(liu)(liu)放電(dian)(dian)消耗(hao)電(dian)(dian)流(liu)(liu)。