對太(tai)陽能的利用(yong)和儲(chu)(chu)存(cun)方(fang)面(mian)的研究(jiu)發展(zhan)(zhan)已經發展(zhan)(zhan)了好久，在(zai)(zai)太(tai)陽能儲(chu)(chu)存(cun)方(fang)面(mian)太(tai)陽能電池應(ying)運(yun)而(er)生，發展(zhan)(zhan)到現在(zai)(zai)太(tai)陽能電池種類都有哪些呢？下(xia)面(mian)就一起(qi)來探(tan)討一下(xia)吧。

1、無機太陽能電池

硅(gui)基太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)為代表，世界(jie)上最早研制出(chu)的太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)是(shi)19世紀(ji)50年代，美國Bell實驗室(shi)研制的晶體硅(gui)太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)。其能(neng)(neng)(neng)量(liang)(liang)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)率約在(zai)6%左右(you)，迄今為止，硅(gui)基太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)依(yi)舊是(shi)無機太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)研究中最為廣泛的，其最高能(neng)(neng)(neng)量(liang)(liang)轉(zhuan)化效(xiao)(xiao)率可達到25.6%.

2、薄膜太陽能電池

薄膜太陽能電(dian)池(chi)是基(ji)于無定(ding)形硅材(cai)料，如確化(hua)鎘（CdTe）和銅(tong)鋼擦二硒（Cu（ln，Ga）Se2）。雖然薄膜太陽能電(dian)池(chi)的制作成本(ben)低，但(dan)是其(qi)過低的光(guang)電(dian)轉換(huan)效率是迄今為(wei)止制約其(qi)發展與(yu)應用的主要因素(su)。

3、染料敏(min)化太(tai)陽(yang)能電池

與(yu)傳統無機(ji)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)相比，染料敏化太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)的(de)最(zui)大優(you)勢在于其制作(zuo)工(gong)藝簡單、無需(xu)昂貴的(de)設備和高潔凈度(du)的(de)廠(chang)房設施，制作(zuo)成本僅為硅太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)的(de)1/10-1/5.

Michael Gratzel等人宣布制成了光電效率為12.3%的電池。

4、聚合物太陽(yang)能電池(chi)

相(xiang)比之(zhi)下(xia)，利用有(you)機(ji)半導體制備光伏器(qi)件可以(yi)部分(fen)解(jie)決(jue)無機(ji)太(tai)陽(yang)(yang)電(dian)池(chi)面臨的(de)難題(ti).特別是聚合(he)物本(ben)(ben)體異(yi)質結太(tai)陽(yang)(yang)電(dian)池(chi)，綜(zong)合(he)了共扼聚合(he)物所兼備的(de)優(you)良半導體特性(xing)和(he)機(ji)械加工特性(xing).通過在室溫下(xia)配(pei)制溶液(ye)，旋轉涂(tu)(tu)膜(mo)、噴(pen)(pen)涂(tu)(tu)等成(cheng)膜(mo)，或者用滾(gun)筒印刷(shua)、噴(pen)(pen)墨(mo)打印的(de)方式，制備質量(liang)輕、柔性(xing)好、成(cheng)本(ben)(ben)低廉的(de)大(da)面積(ji)太(tai)陽(yang)(yang)電(dian)池(chi)。